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高橋 正光; 藤川 誠司*; Hu, W.; 田尻 寛男*
no journal, ,
水素化は、材料最表面への水素分子の解離吸着によって始まり、表面第2層目以下の原子への水素吸蔵へと進行していく。この過程で水素化を容易にしている要因、逆に阻害している要因を明らかにすることは、水素貯蔵材料の性能向上に役立つ。本研究では、表面X線回折法による定量的な表面構造解析に基づいて、パラジウム単結晶における水素吸収メカニズムを検討した。実験は、SPring-8の表面界面ビームラインBL13XUで行った。水素暴露量と試料温度とをパラメータとして、Pd基板表面の放射光X線回折測定を行った。表面X線回折プロファイルの変化の測定から、水素吸蔵量の増加が観測され、水素吸着から水素吸蔵へと進行する過程をとらえることができた。